Avviso di Procedura Comparativa ai sensi dell’art. 7 comma 6 del decreto legislativo 30 marzo 2001, n. 165 conferimento di un incarico di lavoro autonomo a beneficio della Sezione di Torino dell’INFN, attività “Progettazione CMOS IP ed integrazione con metodologia digital-on-top, verifica UVM full-chip e “design for manufacturability” per la progettazione e gestione dei run di fonderia di sensori CMOS integrati in un processo tecnologico CIS 110nm”
Informazioni Principali
Posti Disponibili
1
Ripartizione
Riserve
Sede di Lavoro
Torino, Piemonte
presso la Sezione di Torino dell’INFN
Torino, Piemonte
Contratto e Retribuzione
collaborazione(incarico di lavoro autonomo ai sensi dell’art. 7 comma 6 del decreto legislativo 30 marzo 2001, n. 165)
Durata: 30 mesi
225.000,00 €lordi/anno
Fascia: oltre_100k
Inquadramento
figura professionale in grado di svolgere a beneficio dell’INFN presso la Sezione di Torino attività di progettazione CMOS IP, integrazione con metodologia digital-on-top, verifica UVM full-chip e design for manufacturability per la progettazione e gestione dei run di fonderia di sensori CMOS integrati in un processo tecnologico CIS 110nm
enti_pubblici_statali
Presentazione Domanda
inpa
Apertura: 22 giugno 2026
Scadenza: 7 luglio 2026
Requisiti di Partecipazione
Cittadinanza
qualsiasi
cittadinanza italiana, ovvero cittadinanza di uno degli stati membri dell’Unione Europea, ovvero dichiarazione attestante le condizioni di cui all’articolo 7 della legge 6 agosto 2013, n. 97
Limiti di Età
posizione regolare rispetto gli obblighi di leva e di quelli relativi al servizio militare volontario (per i candidati cittadini italiani di sesso maschile nati entro il 31.12.1985)
Titolo di Studio
dottorato
PhD in Ingegneria Elettronica o titolo equivalente conseguito all’estero
0Esperienza
esperienza pregressa nella progettazione di ASICs, con uso di tools EDA per il flusso RTL-to-GDS (GENUS, Design Compiler, Innovus, IC Compiler, TEMPUS, VOLTUS, Prime Time, Prime Power, Liberate, VManager, Xcelium) e sviluppo di tools per manipolazione RTL
Esperienza pregressa di 10 anni complessivi nella progettazione di ASICs, con uso di tools EDA per il flusso RTL-to-GDS (GENUS, Design Compiler, Innovus, IC Compiler, TEMPUS, VOLTUS, Prime Time, Prime Power, Liberate, VManager, Xcelium) e sviluppo di tools per manipolazione RTL; Almeno 3 anni di documentata esperienza nella integrazione di sensori CMOS monolitici.
Anni minimi: Esperienza pregressa di 10 anni complessivi nella progettazione di ASICs, con uso di tools EDA per il flusso RTL-to-GDS (GENUS, Design Compiler, Innovus, IC Compiler, TEMPUS, VOLTUS, Prime Time, Prime Power, Liberate, VManager, Xcelium) e sviluppo di tools per manipolazione RTL; Almeno 3 anni di documentata esperienza nella integrazione di sensori CMOS monolitici.
Competenze Informatiche
uso di tools EDA per il flusso RTL-to-GDS (GENUS, Design Compiler, Innovus, IC Compiler, TEMPUS, VOLTUS, Prime Time, Prime Power, Liberate, VManager, Xcelium) e sviluppo di tools per manipolazione RTL
Idoneità Psicofisica
Altri Requisiti
- iscrizione nelle liste elettorali
- godimento dei diritti civili e politici
- di esprimere il consenso al trattamento dei dati personali per le finalità e con le modalità di cui al decreto legislativo 30 giugno 2003, n. 196 e successive modificazioni e del regolamento (UE) 2016/679 del Parlamento europeo e del Consiglio, del 27 aprile 2016 (GDPR). Il trattamento riguarda anche le categorie particolari di dati personali e i dati personali relativi a condanne penali e reati di cui agli artt. 9 e 10 del GDPR.
Cause di Esclusione
- non aver riportato condanne con sentenza passata in giudicato per reati che costituiscono un impedimento all'assunzione presso una P.A ai sensi dell'articolo 4, comma 2, lettera l) del DPR 487 del 9 maggio 1994 e/o dell’articolo 2, comma 2, del DM del 14 ottobre 2021
- non avere in corso procedimenti penali, procedimenti amministrativi per l'applicazione di misure di sicurezza o di prevenzione o precedenti penali a proprio carico iscrivibili nel casellario giudiziale, ai sensi dell’articolo 3 del decreto del Presidente della Repubblica 14 novembre 2002, n. 313
- non essere stato destituito o dispensato dall’impiego presso una pubblica amministrazione per persistente insufficiente rendimento, o licenziato per le medesime ragioni ovvero per motivi disciplinari ai sensi della vigente normativa di legge o contrattuale
- non essere stato dichiarato decaduto per aver conseguito la nomina o l'assunzione mediante la produzione di documenti falsi o viziati da nullità insanabile
Procedura Concorsuale
Fasi del Concorso
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Materie d'Esame
Descrizione
PhD in Ingegneria Elettronica o titolo equivalente conseguito all’estero
Riferimenti Normativi
decreto legislativo 30 marzo 2001, n. 165(art. 7 comma 6; art. 7 comma 6 bis)
Disposizioni sugli incarichi individuali con contratti di lavoro autonomo e sulle procedure comparative per il conferimento degli incarichi di collaborazione.
legge 6 agosto 2013, n. 97(articolo 7)
Condizioni per cittadini di Stati membri dell’Unione Europea.
decreto del Presidente della Repubblica 9 maggio 1994, n. 487(articolo 4, comma 2, lettera l))
Requisiti e impedimenti all’assunzione presso una P.A.
decreto ministeriale 14 ottobre 2021(articolo 2, comma 2)
Impedimenti all’assunzione presso una P.A.
decreto del Presidente della Repubblica 14 novembre 2002, n. 313(articolo 3)
Casellario giudiziale e procedimenti rilevanti.
decreto del Presidente della Repubblica 28 dicembre 2000, n. 445(articolo 46; articolo 76)
Dichiarazioni sostitutive e conseguenze di dichiarazioni mendaci.
decreto legislativo 30 giugno 2003, n. 196
Trattamento dei dati personali.
regolamento (UE) 2016/679 del Parlamento europeo e del Consiglio, del 27 aprile 2016 (GDPR)(art. 9; art. 10; art. 13)
Protezione dei dati personali e categorie particolari di dati.
decreto legislativo n. 33/2013
Normativa sulla trasparenza.
Allegati e Documenti
Contatti e Informazioni
Domande Frequenti
Come candidarsi a Avviso di Procedura Comparativa ai sensi dell’art. 7 comma 6 del decreto legislativo 30 marzo 2001, n. 165 conferimento di un incarico di lavoro autonomo a beneficio della Sezione di Torino dell’INFN, attività “Progettazione CMOS IP ed integrazione con metodologia digital-on-top, verifica UVM full-chip e “design for manufacturability” per la progettazione e gestione dei run di fonderia di sensori CMOS integrati in un processo tecnologico CIS 110nm”?
Puoi presentare la domanda tramite il portale ufficiale. Clicca sul pulsante "Presenta Domanda" in questa pagina per accedere direttamente al modulo di candidatura.
Qual è la scadenza per Avviso di Procedura Comparativa ai sensi dell’art. 7 comma 6 del decreto legislativo 30 marzo 2001, n. 165 conferimento di un incarico di lavoro autonomo a beneficio della Sezione di Torino dell’INFN, attività “Progettazione CMOS IP ed integrazione con metodologia digital-on-top, verifica UVM full-chip e “design for manufacturability” per la progettazione e gestione dei run di fonderia di sensori CMOS integrati in un processo tecnologico CIS 110nm”?
Le iscrizioni si sono chiuse il 7 luglio 2026.
Quanti posti sono disponibili?
Sono disponibili 1 posto per Avviso di Procedura Comparativa ai sensi dell’art. 7 comma 6 del decreto legislativo 30 marzo 2001, n. 165 conferimento di un incarico di lavoro autonomo a beneficio della Sezione di Torino dell’INFN, attività “Progettazione CMOS IP ed integrazione con metodologia digital-on-top, verifica UVM full-chip e “design for manufacturability” per la progettazione e gestione dei run di fonderia di sensori CMOS integrati in un processo tecnologico CIS 110nm” presso Istituto Nazionale di Fisica Nucleare.
Come prepararsi per Avviso di Procedura Comparativa ai sensi dell’art. 7 comma 6 del decreto legislativo 30 marzo 2001, n. 165 conferimento di un incarico di lavoro autonomo a beneficio della Sezione di Torino dell’INFN, attività “Progettazione CMOS IP ed integrazione con metodologia digital-on-top, verifica UVM full-chip e “design for manufacturability” per la progettazione e gestione dei run di fonderia di sensori CMOS integrati in un processo tecnologico CIS 110nm”?
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